輸出點數(shù)：64點。
輸出形式：晶體管（源型）輸出。
額定開閉電壓、電流：-。
額定負載電壓：DC12～24V。
最大負載電流：0.1A/點。
響應(yīng)時間：1ms以下。
公共端方式：32點/公共端。
保護功能（過載、過熱）：有。
外部配線連接方式：40針連接器兩個。
輸出模塊帶機械式繼電器觸點機構(gòu)，
包括所用的負載電壓范圍較大的繼電器輸出型和可用于DC12~24V負載的晶體管輸出型R12CCPU-V
可根據(jù)負載電壓、輸出點數(shù)的不同，選擇最適合用戶需求的模塊。
根據(jù)繼電器觸點壽命進行預(yù)防性維護。
繼電器輸出模塊可累計各輸出點的ON次數(shù)。
可通過了解該繼電器觸點的開關(guān)次數(shù)，根據(jù)繼電器壽命進行預(yù)防性維護。輸入輸出模塊安裝臺數(shù)：5臺。
DIN導(dǎo)軌安裝用適配器型號：R6DIN1。
外形尺寸（H）×（W）×（D）：101mm×245mm×32.5mm。運算控制方式：存儲程序反復(fù)運算。
輸入輸出點數(shù)：4096點。
程序容量：1200K。
作為可編程控制器控制系統(tǒng)的核心，可編程控制器CPU模塊中已配備多種功能，
支持多種控制。程序容量從40K步到1200K步，可選擇最適合系統(tǒng)規(guī)模的CPU模塊。
并且具有可直接連接到工業(yè)網(wǎng)絡(luò)的CPU模塊，可降低系統(tǒng)構(gòu)建成本。
便于處理的軟元件/標簽區(qū)域
將擴展SRAM卡安裝到可編程控制器CPU模塊上后，
可擴展最多 5786K 字的軟元件/標簽存儲區(qū)域。
擴展區(qū)域作為與內(nèi)置CPU模塊的存儲器相連的區(qū)域，
可自由分配軟元件/標簽等的范圍。
因此，可輕松進行編程，而無需考慮各存儲區(qū)域的邊界。
此外，還可使用SD存儲卡處理記錄的數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)庫數(shù)據(jù)等大容量數(shù)據(jù)。主基板、擴展基板 I/O插槽用盲蓋板。輸入輸出模塊安裝臺數(shù)：12臺。
可安裝模塊：MELSEC iQ-R系列模塊。
DIN導(dǎo)軌安裝用適配器型號：R6DIN1。
外形尺寸（H）×（W）×（D）：101mm×439mm×32.5mm。
用于安裝MELSEC iQ-R系列各種模塊的基板模塊。
無法在擴展基板模塊上安裝CPU模塊。輸入輸出模塊安裝臺數(shù)：5臺。
可安裝模塊：MELSEC-Q系列模塊。
DIN導(dǎo)軌安裝用適配器型號：Q6DIN2。
外形尺寸（H）×（W）×（D）：98mm×245mm×44.1mm。
用于安裝MELSEC-Q系列各種模塊的基板模塊。
在在之后的擴展中使用Q系列擴展基板。輸入輸出模塊安裝臺數(shù)：8臺。
可安裝模塊：MELSEC-Q系列模塊塊。
DIN導(dǎo)軌安裝用適配器型號：Q6DIN1。
外形尺寸（H）×（W）×（D）：98mm×328mm×44.1mm。
用于安裝MELSEC-Q系列各種模塊的基板模塊。
在之后的擴展中使用Q系列擴展基板。